规格书 |
BTS244Z |
安装风格 | Through Hole |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | 19 A |
系列 | BTS244 |
封装/外壳 | TO-220-5 |
RDS(ON) | 13 mOhms |
封装 | Tube |
功率耗散 | 170 W |
最低工作温度 | - 40 C |
正向跨导 - 闵 | 25 S |
栅极电荷Qg | 85 nC |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
零件号别名 | SP000969782 |
上升时间 | 70 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 55 V |
下降时间 | 25 ns |
FET特点 | Temperature Protection |
安装类型 | Surface Mount |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 130µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
标准包装 | 500 |
供应商设备封装 | PG-TO220-5 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 13 mOhm @ 19A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 170W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2660pF @ 25V |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 35A (Tc) |
其他名称 | SP000969782 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 130nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 500 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.6 V |
宽度 | 4.4 mm |
Qg - Gate Charge | 85 nC |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 19 A |
长度 | 10 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 13 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
身高 | 15.65 mm |
典型导通延迟时间 | 15 ns |
Pd - Power Dissipation | 170 W |
技术 | Si |
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