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厂商型号

BTS244ZE3043AKSA2 

产品描述

.

内部编号

173-BTS244ZE3043AKSA2

#1

数量:10500
1+¥16.1805
25+¥15.0247
100+¥14.4084
500+¥13.869
1000+¥13.1755
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:302
1+¥22.2225
10+¥17.8464
100+¥16.2737
250+¥14.6327
500+¥13.1284
1000+¥11.0087
2500+¥10.4617
5000+¥9.6412
最小起订量:1
美国加州
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

BTS244ZE3043AKSA2产品详细规格

规格书 BTS244ZE3043AKSA2 datasheet 规格书
BTS244Z
安装风格 Through Hole
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 19 A
系列 BTS244
封装/外壳 TO-220-5
RDS(ON) 13 mOhms
封装 Tube
功率耗散 170 W
最低工作温度 - 40 C
正向跨导 - 闵 25 S
栅极电荷Qg 85 nC
典型关闭延迟时间 40 ns
零件号别名 SP000969782
上升时间 70 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 55 V
下降时间 25 ns
FET特点 Temperature Protection
安装类型 Surface Mount
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 130µA
漏极至源极电压(Vdss) 55V
标准包装 500
供应商设备封装 PG-TO220-5
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 13 mOhm @ 19A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 170W
输入电容(Ciss ) @ VDS 2660pF @ 25V
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 35A (Tc)
其他名称 SP000969782
闸电荷(Qg ) @ VGS 130nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 55 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.6 V
宽度 4.4 mm
Qg - Gate Charge 85 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 19 A
长度 10 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 13 mOhms
通道模式 Enhancement
身高 15.65 mm
典型导通延迟时间 15 ns
Pd - Power Dissipation 170 W
技术 Si

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